MERLIN扫描电子显微镜
发布时间: 2010-03-05 11:12
Merlin具有全方位的灵活性，满足您的各种应用需求，Merlin借助模块化的样品室设计、可变压力选件，15个端口及一系列特定应用模块，如原子力显微镜（AFM）、原位超薄切片机、大面积成像以及能够轻松应对非导电样品的局部电荷中和模块，它能够升级成为一个综合的纳米分析平台。
从成像到全套实验室应用：卓越的亚纳米级分析能力
配备 GEMINI II 镜筒的 MERLIN 可以借助先进的探测模式和‘future assured’技术在单一系统平台上实现超快速分析与高分辨成像。
经过预校准的 GEMINI II 光学成像设置，如电压或探针电流，能够根据您的需求进行调整以满足应用和样品要求，且无需再重新校准。即便无经验的用户也能获得最佳成像结果。经系统优化后的高束流密度、300 nA 探针电流及高束流下的超高分辨率，确保了在纳米级分析应用中的快速成像。
利用 正光轴 in-lens 二次电子（SE）探测与能量选择背散射（EsB）探测获取最丰富的样品信息，用以检测材料组份中最细微的差异。
Merlin具有全方位的灵活性，满足您的各种应用需求，Merlin借助模块化的样品室设计、可变压力选件，15个端口及一系列特定应用模块，如原子力显微镜（AFM）、原位超薄切片机、大面积成像以及能够轻松应对非导电样品的局部电荷中和模块，它能够升级成为一个综合的纳米分析平台。
参数
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分辨率
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高达 0.6nm（STEM 模式）
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探针电流
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高达 300nA
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加速电压
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20V 至 30 kV
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探测模式（可选）
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In-lens（SE）
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正光轴 in-lens 二次电子探测
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In-lens（EsB）
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用于材料衬度成像的正光轴in-lens 能量选择背散射探测；in-lens SE 和 EsB 并行成像
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角度选择背散射探测器（AsB）
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用于晶体表面的结构分析。
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3DSM
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用于实时三维表面形貌成像。
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STEM
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低电压优化明场、4 象限暗场和大角度暗场透射成像。
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选件（可选）
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ATLAS 大面积成像
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用于大尺寸样品区域拼接。
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原子力显微镜（AFM）技术
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扩展扫描电镜性能，使其具有解析单原子层和检测表面磁性或局部导电率的能力。
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局部电荷中和
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可以实现非导电样品成像。
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3View
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原位超薄切片机可实现大体积软组织三维重构。
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应用无极限
只需使用一系列特定应用选件，便能获取纳米材料、半导体样品、矿物、钢铁或合金的更丰富信息：
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与 SEM/AFM（原子力显微镜）结合，可获取半导体和纳米材料的原子级信息
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使用 ATLAS 大面积成像模块拼接大尺寸样品区域，用于半导体结构的设计验证
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观测诸如矿物、陶瓷、玻璃和聚合物等非导电样品，利用局部可变压力带来的电荷中和作用进行探测分析
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借助实时 3DSM 成像模块轻松掌握 MEMS 器件的形貌和表面粗糙度、纳米结构、硬度测量产生的压痕或法医调查中的划痕
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GEMINI 镜筒可用于磁性样品检测，图像绝不失真。
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通过增加 3View 超薄切片机实现大体积软组织三维重构。
新型材料、纳米复合材料、聚合物、高强度钢和半导体结构的性能关键取决于最小的组份结构。配置有正光轴能量选择背散射电子（EsB）探测功能的 MERLIN 全套探测系统是探究这些组份结构的最佳仪器。低能损背散射电子的能量过滤变化对材料组份、衍生物和相非常敏感，因此能够被区分开。独一无二的对称式正光轴设计可确保拍摄参数改变时无需重新校准。
此外，Merlin还配置有能够探测其他综合样品信息的信号，如 in-lens 二次电子探测器。
MERLIN 与原子力显微镜（AFM）相结合
只需简单更换载物台，便能在一个简单的工作流程中分别体验两者的优势：
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首先使用扫描电镜获取样品概览
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快速标识和放大感兴趣区域（ROI）
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同时在扫描电镜下可以进行安全控制，快速地将悬臂系统直接移至感兴趣区域
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使用 AFM 模块解析单个原子层
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并可使用悬臂系统获取更多的样品信息，如表面磁性或局部导电性
MERLIN 系统可升级具备三维成像能力：3DSM 解决方案可以像传统二维成像一样轻松完成样品表面的实时三维成像。获取的三维图像可以通过诸如立体视图、网络视图、纹理视图或轮廓重叠的方式显示。该模块还能够获得定量三维模型，用以测量表面粗糙度及表面形貌。
集成的计量 软件可以进行三维表面可视化及生成完整的计量报告。
